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- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2018018102A
- 申请日:2017-10-25
- 公开(公告)日:2018-02-01
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:今藤 敏和 | 小山 潤 | 山崎 舜平
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN107045235A
- 申请日:2011-02-02
- 公开(公告)日:2017-08-15
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:今藤敏和 | 小山润 | 山崎舜平
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20170249918A1
- 申请日:2017-05-15
- 公开(公告)日:2017-08-31
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME | UMEZAKI, ATSUSHI
- 授权日:2019-10-18
- 公开(公告)号:KR102036228B1
- 申请日:2018-10-08
- 公开(公告)日:2019-10-24
- 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 发明人:키무라 하지메 | 우메자키 아쓰시
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:KR1020200038919A
- 申请日:2020-04-07
- 公开(公告)日:2020-04-14
- 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 发明人:키무라 하지메 | 우메자키 아쓰시
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JPWO2008029893A1
- 申请日:2007-09-06
- 公开(公告)日:2010-01-21
- 当前申请(专利权)人:三井化学株式会社
- 发明人:宮脇 孝久 | 種市 大樹 | 成瀬 洋 | 市川 真一郎 | 川崎 登 | 高木 正利
- 授权日:2013-01-25
- 公开(公告)号:JP5184361B2
- 申请日:2007-09-06
- 公开(公告)日:2013-04-17
- 当前申请(专利权)人:三井化学株式会社
- 发明人:宮脇 孝久 | 種市 大樹 | 成瀬 洋 | 市川 真一郎 | 川崎 登 | 高木 正利
- 授权日:2014-10-03
- 公开(公告)号:JP5624634B2
- 申请日:2013-01-16
- 公开(公告)日:2014-11-12
- 当前申请(专利权)人:三井化学株式会社
- 发明人:宮脇 孝久 | 種市 大樹 | 成瀬 洋 | 市川 真一郎 | 川崎 登 | 高木 正利
- 授权日:2011-05-11
- 公开(公告)号:CN101512421B
- 申请日:2007-09-06
- 公开(公告)日:2011-05-11
- 当前申请(专利权)人:三井化学株式会社
- 发明人:宫胁孝久 | 种市大树 | 成濑洋 | 市川真一郎 | 川崎登 | 高木正利