• 授权日:2019-02-14
  • 公开(公告)号:KR101950364B1
  • 申请日:2011-02-02
  • 公开(公告)日:2019-02-20
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:콘도 토시카즈 | 고야마 준 | 야마자키 순페이
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2020-02-11
  • 公开(公告)号:KR102078253B1
  • 申请日:2011-02-02
  • 公开(公告)日:2020-04-02
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:콘도 토시카즈 | 고야마 준 | 야마자키 순페이
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2011197657A5
  • 申请日:2011-02-22
  • 公开(公告)日:2014-02-20
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:今藤 敏和 | 小山 潤 | 山崎 舜平
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2011197657A
  • 申请日:2011-02-22
  • 公开(公告)日:2011-10-06
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:今藤 敏和 | 小山 潤 | 山崎 舜平
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN107045235A
  • 申请日:2011-02-02
  • 公开(公告)日:2017-08-15
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:今藤敏和 | 小山润 | 山崎舜平
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20150234216A1
  • 申请日:2015-05-04
  • 公开(公告)日:2015-08-20
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KONDO, TOSHIKAZU | KOYAMA, JUN | YAMAZAKI, SHUNPEI
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20170192272A1
  • 申请日:2017-03-21
  • 公开(公告)日:2017-07-06
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KONDO, TOSHIKAZU | KOYAMA, JUN | YAMAZAKI, SHUNPEI
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2018018102A
  • 申请日:2017-10-25
  • 公开(公告)日:2018-02-01
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:今藤 敏和 | 小山 潤 | 山崎 舜平
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2017-11-02
  • 公开(公告)号:JP6235077B2
  • 申请日:2016-06-22
  • 公开(公告)日:2017-11-22
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:今藤 敏和 | 小山 潤 | 山崎 舜平
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
首页
< 上一页
下一页 >
末页