• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2003076345A
  • 申请日:2001-09-06
  • 公开(公告)日:2003-03-14
  • 当前申请(专利权)人:ルネサスエレクトロニクス株式会社
  • 发明人:岡田 佳代
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2011-08-05
  • 公开(公告)号:JP4794488B2
  • 申请日:2007-03-26
  • 公开(公告)日:2011-10-19
  • 当前申请(专利权)人:チャーム エンジニアリング株式会社
  • 发明人:辛 圭▲成▼ | 尹 星進 | 薛 捧浩
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2007-11-21
  • 公开(公告)号:KR100780012B1
  • 申请日:2006-12-29
  • 公开(公告)日:2007-11-27
  • 当前申请(专利权)人:참엔지니어링(주)
  • 发明人:신규성 | 윤성진 | 설봉호
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020030022063A
  • 申请日:2002-09-06
  • 公开(公告)日:2003-03-15
  • 当前申请(专利权)人:르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤
  • 发明人:OKADA,KAYO
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2005-10-05
  • 公开(公告)号:KR100521576B1
  • 申请日:2002-09-06
  • 公开(公告)日:2005-10-13
  • 当前申请(专利权)人:르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤
  • 发明人:OKADA,KAYO
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20100245724A1
  • 申请日:2010-03-16
  • 公开(公告)日:2010-09-30
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:NISHI, TAKESHI | ISHITANI, TETSUJI | KUBOTA, DAISUKE
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2011-04-20
  • 公开(公告)号:CN101261801B
  • 申请日:2008-01-31
  • 公开(公告)日:2011-04-20
  • 当前申请(专利权)人:瑞萨电子株式会社
  • 发明人:赤井亮仁 | 工藤泰幸 | 大门一夫
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2014-10-17
  • 公开(公告)号:JP5631613B2
  • 申请日:2010-03-25
  • 公开(公告)日:2014-11-26
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:西 毅 | 石谷 哲二 | 久保田 大介
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020080082897A
  • 申请日:2008-01-30
  • 公开(公告)日:2008-09-12
  • 当前申请(专利权)人:가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지
  • 发明人:아까이아끼히또 | 구도야스유끼 | 오까도가즈오
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
首页
< 上一页
下一页 >
末页