• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:EP2479605A3
  • 申请日:2006-11-29
  • 公开(公告)日:2012-09-26
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:EP2479605A2
  • 申请日:2006-11-29
  • 公开(公告)日:2012-07-25
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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  • 授权日:2017-12-05
  • 公开(公告)号:US9835912
  • 申请日:2016-08-10
  • 公开(公告)日:2017-12-05
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20160349579A1
  • 申请日:2016-08-10
  • 公开(公告)日:2016-12-01
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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  • 授权日:2019-02-12
  • 公开(公告)号:US10203571
  • 申请日:2017-11-30
  • 公开(公告)日:2019-02-12
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20180081247A1
  • 申请日:2017-11-30
  • 公开(公告)日:2018-03-22
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN102360142A
  • 申请日:2006-11-29
  • 公开(公告)日:2012-02-22
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇 | 鱼地秀贵
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  • 授权日:2016-03-30
  • 公开(公告)号:CN102360142B
  • 申请日:2006-11-29
  • 公开(公告)日:2016-03-30
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇 | 鱼地秀贵
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  • 授权日:2015-11-25
  • 公开(公告)号:CN102331638B
  • 申请日:2006-11-29
  • 公开(公告)日:2015-11-25
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇 | 鱼地秀贵
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