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- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2014056246A5
- 申请日:2013-10-07
- 公开(公告)日:2014-06-05
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2013011910A
- 申请日:2012-10-16
- 公开(公告)日:2013-01-17
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇
- 授权日:2014-09-26
- 公开(公告)号:JP5619247B2
- 申请日:2013-10-07
- 公开(公告)日:2014-11-05
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇
- 授权日:2016-09-30
- 公开(公告)号:JP6012798B2
- 申请日:2015-03-11
- 公开(公告)日:2016-10-25
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2017037316A
- 申请日:2016-09-16
- 公开(公告)日:2017-02-16
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN103257492A
- 申请日:2007-04-06
- 公开(公告)日:2013-08-21
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:木村肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN110262140A
- 申请日:2007-04-06
- 公开(公告)日:2019-09-20
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:木村肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN104950536A
- 申请日:2007-04-06
- 公开(公告)日:2015-09-30
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:木村肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:EP1843194A1
- 申请日:2007-03-20
- 公开(公告)日:2007-10-10
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME