• 授权日:2018-05-01
  • 公开(公告)号:US9958736
  • 申请日:2015-12-03
  • 公开(公告)日:2018-05-01
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20160154283A1
  • 申请日:2015-12-03
  • 公开(公告)日:2016-06-02
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2020-06-16
  • 公开(公告)号:US10684517
  • 申请日:2018-04-26
  • 公开(公告)日:2020-06-16
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2014044428A
  • 申请日:2013-10-07
  • 公开(公告)日:2014-03-13
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2015156024A
  • 申请日:2015-03-11
  • 公开(公告)日:2015-08-27
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20070236640A1
  • 申请日:2007-04-03
  • 公开(公告)日:2007-10-11
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2013011910A
  • 申请日:2012-10-16
  • 公开(公告)日:2013-01-17
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2014056246A5
  • 申请日:2013-10-07
  • 公开(公告)日:2014-06-05
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20190004380A1
  • 申请日:2018-04-26
  • 公开(公告)日:2019-01-03
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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