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- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2018197878A
- 申请日:2018-08-27
- 公开(公告)日:2018-12-13
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:荒澤 亮 | 宍戸 英明
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2015165329A
- 申请日:2015-05-26
- 公开(公告)日:2015-09-17
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:荒澤 亮 | 宍戸 英明
- 授权日:2013-07-09
- 公开(公告)号:US8482690
- 申请日:2010-10-04
- 公开(公告)日:2013-07-09
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:ARASAWA, RYO | SHISHIDO, HIDEAKI
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2012252349A
- 申请日:2012-07-30
- 公开(公告)日:2012-12-20
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:荒澤 亮 | 宍戸 英明
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2017194691A
- 申请日:2017-05-17
- 公开(公告)日:2017-10-26
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:荒澤 亮 | 宍戸 英明
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2016066101A
- 申请日:2016-01-14
- 公开(公告)日:2016-04-28
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:荒澤 亮 | 宍戸 英明
- 授权日:2018-02-23
- 公开(公告)号:CN102576174B
- 申请日:2010-09-21
- 公开(公告)日:2018-02-23
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:荒泽亮 | 宍户英明
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN102576174A
- 申请日:2010-09-21
- 公开(公告)日:2012-07-11
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:荒泽亮 | 宍户英明
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20110085104A1
- 申请日:2010-10-04
- 公开(公告)日:2011-04-14
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:ARASAWA, RYO | SHISHIDO, HIDEAKI