• 授权日:2013-05-14
  • 公开(公告)号:US8441425
  • 申请日:2009-11-24
  • 公开(公告)日:2013-05-14
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:ISHITANI, TETSUJI | KUBOTA, DAISUKE
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20100134397A1
  • 申请日:2009-11-24
  • 公开(公告)日:2010-06-03
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:ISHITANI, TETSUJI | KUBOTA, DAISUKE
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  • 授权日:2019-04-26
  • 公开(公告)号:JP6517990B2
  • 申请日:2018-08-28
  • 公开(公告)日:2019-05-22
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:石谷 哲二 | 久保田 大介
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标题
表示装置
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2019049703A
  • 申请日:2018-08-28
  • 公开(公告)日:2019-03-28
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:石谷 哲二 | 久保田 大介
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标题
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2015111291A
  • 申请日:2015-02-18
  • 公开(公告)日:2015-06-18
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:石谷 哲二 | 久保田 大介
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  • 授权日:2013-11-06
  • 公开(公告)号:EP2192437B1
  • 申请日:2009-11-26
  • 公开(公告)日:2013-11-06
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:ISHITANI, TETSUJI | KUBOTA, DAISUKE
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2010152348A
  • 申请日:2009-11-26
  • 公开(公告)日:2010-07-08
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:石谷 哲二 | 久保田 大介
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020160095655A
  • 申请日:2016-07-29
  • 公开(公告)日:2016-08-11
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:이시타니테츠지 | 쿠보타다이스케
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020180064357A
  • 申请日:2018-06-01
  • 公开(公告)日:2018-06-14
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:이시타니테츠지 | 쿠보타다이스케
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