• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20180138215A1
  • 申请日:2017-11-16
  • 公开(公告)日:2018-05-17
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2011-11-15
  • 公开(公告)号:US8059068
  • 申请日:2007-04-27
  • 公开(公告)日:2011-11-15
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20070210720A1
  • 申请日:2007-04-27
  • 公开(公告)日:2007-09-13
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2012-05-02
  • 公开(公告)号:CN101127188B
  • 申请日:2002-11-13
  • 公开(公告)日:2012-05-02
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2013178528A
  • 申请日:2013-04-02
  • 公开(公告)日:2013-09-09
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:2014-11-14
  • 公开(公告)号:JP5648088B2
  • 申请日:2013-06-14
  • 公开(公告)日:2015-01-07
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2013238861A
  • 申请日:2013-06-14
  • 公开(公告)日:2013-11-28
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2013167880A
  • 申请日:2013-03-07
  • 公开(公告)日:2013-08-29
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20030090481A1
  • 申请日:2002-11-12
  • 公开(公告)日:2003-05-15
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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