• 授权日:2014-09-09
  • 公开(公告)号:US8830146
  • 申请日:2013-09-19
  • 公开(公告)日:2014-09-09
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YAMAUCHI, YUKIO | FUKUNAGA, TAKESHI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20140015872A1
  • 申请日:2013-09-19
  • 公开(公告)日:2014-01-16
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YAMAUCHI, YUKIO | FUKUNAGA, TAKESHI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2001067018A
  • 申请日:2000-06-13
  • 公开(公告)日:2001-03-16
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:山内 幸夫 | 福永 健司
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN1606391A
  • 申请日:2000-06-21
  • 公开(公告)日:2005-04-13
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:山内幸夫 | 福永健司
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  • 授权日:2008-09-03
  • 公开(公告)号:CN100417306C
  • 申请日:2000-06-21
  • 公开(公告)日:2008-09-03
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:山内幸夫 | 福永健司
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  • 授权日:2008-10-01
  • 公开(公告)号:CN100423617C
  • 申请日:2000-06-21
  • 公开(公告)日:2008-10-01
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:山内幸夫 | 福永健司
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  • 授权日:2008-08-27
  • 公开(公告)号:CN100415063C
  • 申请日:2000-06-21
  • 公开(公告)日:2008-08-27
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:山内幸夫 | 福永健司
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN1606390A
  • 申请日:2000-06-21
  • 公开(公告)日:2005-04-13
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:山内幸夫 | 福永健司
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN1607867A
  • 申请日:2000-06-21
  • 公开(公告)日:2005-04-20
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:山内幸夫 | 福永健司
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