• 授权日:2014-09-09
  • 公开(公告)号:US8830146
  • 申请日:2013-09-19
  • 公开(公告)日:2014-09-09
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YAMAUCHI, YUKIO | FUKUNAGA, TAKESHI
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20140015872A1
  • 申请日:2013-09-19
  • 公开(公告)日:2014-01-16
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YAMAUCHI, YUKIO | FUKUNAGA, TAKESHI
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2001067018A
  • 申请日:2000-06-13
  • 公开(公告)日:2001-03-16
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:山内 幸夫 | 福永 健司
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2008-12-16
  • 公开(公告)号:US7466293
  • 申请日:2004-11-04
  • 公开(公告)日:2008-12-16
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YAMAUCHI, YUKIO | FUKUNAGA, TAKESHI
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20050073241A1
  • 申请日:2004-11-04
  • 公开(公告)日:2005-04-07
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YAMAUCHI, YUKIO | FUKUNAGA, TAKESHI
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2007-12-25
  • 公开(公告)号:US7312572
  • 申请日:2004-11-04
  • 公开(公告)日:2007-12-25
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YAMAUCHI, YUKIO | FUKUNAGA, TAKESHI
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20150138174A1
  • 申请日:2014-12-16
  • 公开(公告)日:2015-05-21
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YAMAUCHI, YUKIO | FUKUNAGA, TAKESHI
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2006-11-28
  • 公开(公告)号:KR100653791B1
  • 申请日:2005-06-15
  • 公开(公告)日:2006-12-06
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:야마우치유키오 | 후쿠나가다케시
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN1606391A
  • 申请日:2000-06-21
  • 公开(公告)日:2005-04-13
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:山内幸夫 | 福永健司
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
首页
< 上一页
下一页 >
末页