• 授权日:2018-01-02
  • 公开(公告)号:CN104768455B
  • 申请日:2013-09-11
  • 公开(公告)日:2018-01-02
  • 当前申请(专利权)人:L.I.F.E.公司
  • 发明人:G·隆吉诺蒂-布伊托尼 | A·阿利瓦尔蒂
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20110092388A1
  • 申请日:2010-11-23
  • 公开(公告)日:2011-04-21
  • 当前申请(专利权)人:MILLENNIUM PHARMACEUTICALS, INC. | BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM
  • 发明人:LILLIE, JAMES | GANNAVARAPU, MANJULA | GLATT, KAREN | HOERSCH, SEBASTIAN | KAMATKAR, SHUBHANGI | MERTENS HATTERSLEY, MAUREEN | MONAHAN, JOHN E. | MYER, VICKESH | WANG, YOUZHEN | XU, YONG YAO | ZHAO, XUMEI | MEYERS, RACHEL E. | BAST, JR., ROBERT C. | HORTOBAGYI, GABRIEL N. | PUSZTAI, LAJOS
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20100105051A1
  • 申请日:2009-09-25
  • 公开(公告)日:2010-04-29
  • 当前申请(专利权)人:MILLENNIUM PHARMACEUTICALS, INC. | BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS
  • 发明人:LILLIE, JAMES | GANNAVARAPU, MANJULA | GLATT, KAREN | HOERSCH, SEBASTIAN | KAMATKAR, SHUBHANGI | MERTENS HATTERSLEY, MAUREEN | MONAHAN, JOHN E. | MYER, VICKESH | WANG, YOUZHEN | XU, YONG YAO | ZHAO, XUMEI | MEYERS, RACHEL E. | BAST, JR., ROBERT C. | HORTOBAGYI, GABRIEL N. | PUSZTAI, LAJOS
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20030057856A1
  • 申请日:2002-07-19
  • 公开(公告)日:2003-03-27
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YAMAUCHI, YUKIO | FUKUNAGA, TAKESHI
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2005-01-18
  • 公开(公告)号:US6844683
  • 申请日:2002-07-19
  • 公开(公告)日:2005-01-18
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YAMAUCHI, YUKIO | FUKUNAGA, TAKESHI
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2007-12-25
  • 公开(公告)号:US7312572
  • 申请日:2004-11-04
  • 公开(公告)日:2007-12-25
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YAMAUCHI, YUKIO | FUKUNAGA, TAKESHI
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2013-10-15
  • 公开(公告)号:US8558773
  • 申请日:2013-02-26
  • 公开(公告)日:2013-10-15
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YAMAUCHI, YUKIO | FUKUNAGA, TAKESHI
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2001067018A
  • 申请日:2000-06-13
  • 公开(公告)日:2001-03-16
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:山内 幸夫 | 福永 健司
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN1278110A
  • 申请日:2000-06-21
  • 公开(公告)日:2000-12-27
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:山内幸夫 | 福永健司
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
首页
< 上一页
下一页 >
末页