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- 授权日:2018-01-02
- 公开(公告)号:CN104768455B
- 申请日:2013-09-11
- 公开(公告)日:2018-01-02
- 当前申请(专利权)人:L.I.F.E.公司
- 发明人:G·隆吉诺蒂-布伊托尼 | A·阿利瓦尔蒂
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20110092388A1
- 申请日:2010-11-23
- 公开(公告)日:2011-04-21
- 当前申请(专利权)人:MILLENNIUM PHARMACEUTICALS, INC. | BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM
- 发明人:LILLIE, JAMES | GANNAVARAPU, MANJULA | GLATT, KAREN | HOERSCH, SEBASTIAN | KAMATKAR, SHUBHANGI | MERTENS HATTERSLEY, MAUREEN | MONAHAN, JOHN E. | MYER, VICKESH | WANG, YOUZHEN | XU, YONG YAO | ZHAO, XUMEI | MEYERS, RACHEL E. | BAST, JR., ROBERT C. | HORTOBAGYI, GABRIEL N. | PUSZTAI, LAJOS
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20100105051A1
- 申请日:2009-09-25
- 公开(公告)日:2010-04-29
- 当前申请(专利权)人:MILLENNIUM PHARMACEUTICALS, INC. | BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS
- 发明人:LILLIE, JAMES | GANNAVARAPU, MANJULA | GLATT, KAREN | HOERSCH, SEBASTIAN | KAMATKAR, SHUBHANGI | MERTENS HATTERSLEY, MAUREEN | MONAHAN, JOHN E. | MYER, VICKESH | WANG, YOUZHEN | XU, YONG YAO | ZHAO, XUMEI | MEYERS, RACHEL E. | BAST, JR., ROBERT C. | HORTOBAGYI, GABRIEL N. | PUSZTAI, LAJOS
- 授权日:2006-11-28
- 公开(公告)号:KR100653809B1
- 申请日:2005-06-15
- 公开(公告)日:2006-12-06
- 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 发明人:야마우치유키오 | 후쿠나가다케시
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20050073242A1
- 申请日:2004-11-04
- 公开(公告)日:2005-04-07
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:YAMAUCHI, YUKIO | FUKUNAGA, TAKESHI
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN1278110A
- 申请日:2000-06-21
- 公开(公告)日:2000-12-27
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:山内幸夫 | 福永健司
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:EP2385557A1
- 申请日:2000-06-19
- 公开(公告)日:2011-11-09
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:YAMAUCHI, YUKIO | FUKUNAGA, TAKESHI
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20050073241A1
- 申请日:2004-11-04
- 公开(公告)日:2005-04-07
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:YAMAUCHI, YUKIO | FUKUNAGA, TAKESHI
- 授权日:2002-09-17
- 公开(公告)号:US6452341
- 申请日:2000-06-21
- 公开(公告)日:2002-09-17
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:YAMAUCHI, YUKIO | FUKUNAGA, TAKESHI