• 授权日:2014-06-17
  • 公开(公告)号:US8754577
  • 申请日:2011-05-10
  • 公开(公告)日:2014-06-17
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:NISHI, TAKESHI | ISHIMARU, NORIKO
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  • 授权日:2015-12-02
  • 公开(公告)号:EP1109225B1
  • 申请日:2000-12-15
  • 公开(公告)日:2015-12-02
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:NISHI, TAKESHI | ISHIMARA, NORIKO
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  • 授权日:2007-07-10
  • 公开(公告)号:KR100740024B1
  • 申请日:2005-12-15
  • 公开(公告)日:2007-07-18
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:니시타케시 | 이시마루노리코
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  • 授权日:2007-02-16
  • 公开(公告)号:KR100686479B1
  • 申请日:2000-12-15
  • 公开(公告)日:2007-02-23
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:니시타케시 | 이시마루노리코
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2013058484A5
  • 申请日:2012-10-16
  • 公开(公告)日:2013-10-10
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:西 毅 | 柴田 典子
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20010004190A1
  • 申请日:2000-12-11
  • 公开(公告)日:2001-06-21
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:NISHI, TAKESHI | ISHIMARU, NORIKO
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20060286889A1
  • 申请日:2006-08-24
  • 公开(公告)日:2006-12-21
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:NISHI, TAKESHI | ISHIMARU, NORIKO
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020060012549A
  • 申请日:2005-12-15
  • 公开(公告)日:2006-02-08
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:니시타케시 | 이시마루노리코
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020010062490A
  • 申请日:2000-12-15
  • 公开(公告)日:2001-07-07
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:니시타케시 | 이시마루노리코
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