当前申请(专利权)人：
株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：
平形 吉晴 | 後藤 裕吾 | 丸山 優子 | 山崎 舜平
简单同族：
JP2001075500A | JP2001075500A5 | JP2006171789A | JP2006171789A5 | JP2009237578A | JP2011118445A | JP2011138171A | JP2011141571A | JP2012032844A | JP2013050737A | JP2013152494A | JP2013164640A | JP2013190825A | JP2013214087A | JP2013235274A | JP2014038360A | JP2014067055A | JP2014132363A | JP2014225044A | JP2014225044A5 | JP2016014909A | JP2017215589A | JP2018142021A | JP2019066881A | JP2019133180A | JP4713365B2 | JP4785998B2 | JP5073093B2 | JP5184439B2 | JP5194142B2 | JP5396561B2 | JP5453569B2 | JP5453570B1 | JP5478542B2 | JP5514935B2 | JP5581420B2 | JP5707447B2 | JP5760036B2 | JP5853078B2 | JP6423980B2 | KR100653758B1 | KR1020010029895A | TW459275B | US20040084673A1 | US20060151791A1 | US20090040445A1 | US20090322698A1 | US20120120336A1 | US20140139762A1 | US20160282658A1 | US6638781 | US7173281 | US7605902 | US7808009 | US9052551 | US9069215 | US9395584
