标题：
IIーVI族化合物半導体のn型電極およびその製造方法、発光ダイオード、半導体レーザ、面発光装置並びに液晶表示装置
授权日：
1900-01-01
公开(公告)号：
JP2003022983A
申请日：
2001-07-05
公开(公告)日：
2003-01-24
当前申请(专利权)人：
アルプス電気株式会社
发明人：
石井 滋
简单同族：
JP2003022983A
简单同族成员数量：
1
简单同族被引用专利总数：
3
诉讼案件数：
0
法律状态/事件：
撤回