标题：
Micro-light emitting diode (LED) fabrication by layer transfer
授权日：
1900-01-01
公开(公告)号：
EP3539153A2
申请日：
2017-11-10
公开(公告)日：
2019-09-18
当前申请(专利权)人：
QMAT, INC.
发明人：
HENLEY, FRANCOIS J.
简单同族：
CN110100306A | EP3539153A2 | JP2020513681A | KR1020190082885A | TW201836168A | US20180138357A1 | WO2018087704A2 | WO2018087704A3
简单同族成员数量：
8
简单同族被引用专利总数：
4
诉讼案件数：
0
法律状态/事件：
撤回