标题：
Method of fabricating polycrystalline silicon layer, TFT fabricated using the same, method of fabricating TFT, and organic light emitting diode display device having the same
授权日：
1900-01-01
公开(公告)号：
US20080296565A1
申请日：
2008-05-30
公开(公告)日：
2008-12-04
当前申请(专利权)人：
SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD.
发明人：
PARK, BYOUNG-KEON | SEO, JIN-WOOK | YANG, TAE-HOON | LEE, KIL-WON | LEE, KI-YONG
简单同族：
CN101315883A | CN101315883B | EP2009680A1 | EP2009680B1 | JP2008300831A | JP5090253B2 | KR100875432B1 | KR1020080105563A | TW200905751A | TWI381451B | US20080296565A1 | US20120220084A1 | US8790967
简单同族成员数量：
13
简单同族被引用专利总数：
76
诉讼案件数：
0
法律状态/事件：
撤回 | 权利转移