标题：
Thin film transistor including metal or metal silicide structure in contact with semiconductor layer and organic light emitting diode display device having the thin film transistor
授权日：
2013-08-20
公开(公告)号：
US8513669
申请日：
2008-08-20
公开(公告)日：
2013-08-20
当前申请(专利权)人：
SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.
发明人：
PARK, BYOUNG-KEON | SEO, JIN-WOOK | YANG, TAE-HOON | LEE, KIL-WON
简单同族：
CN101373792A | CN101373792B | JP2009049419A | JP5043781B2 | KR100889626B1 | KR1020090020028A | US20090050894A1 | US8513669
简单同族成员数量：
8
简单同族被引用专利总数：
48
诉讼案件数：
0
法律状态/事件：
授权 | 权利转移