标题：
Method of fabricating polysilicon, thin film transistor, method of fabricating the thin film transistor, and organic light emitting diode display device including the thin film transistor
授权日：
1900-01-01
公开(公告)号：
US20100163855A1
申请日：
2009-12-30
公开(公告)日：
2010-07-01
当前申请(专利权)人：
SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.
发明人：
LEE, DONG-HYUN | LEE, KI-YONG | SEO, JIN-WOOK | YANG, TAE-HOON | LISACHENKO, MAXIM | PARK, BYOUNG-KEON | LEE, KIL-WON | JUNG, JAE-WAN
简单同族：
CN101771087A | CN101771087B | EP2204844A1 | JP2010157676A | JP5497324B2 | KR101049805B1 | KR1020100078863A | US20100163855A1 | US8507914
简单同族成员数量：
9
简单同族被引用专利总数：
17
诉讼案件数：
0
法律状态/事件：
未缴年费 | 权利转移